0.18μm工艺关键技术

【期数】：1998年05期

【作者】：传平西

【摘要】： 1997年超大规模集成电路技术研讨会于6月10～12日在日本京都召开,与会者545人。会上发表论文74篇。在互连技术方面,人们仍然追求多层结构、低接触电阻和高可靠性。所用的材料有Mn2O3,WsiX,Cu和Al等。其中最为典型的是用于亚0.3μm CMOS工艺中的五层互连技术。在薄栅氧化层和栅MOS工艺方面,高可靠性的薄氧化层、氮化层和氮氧化层形成的性质受到重视,人们的注意力主要集中在用这些薄栅绝缘层去克服由于尺寸缩小带来的不良影响。Cosi2有望在深亚微米工艺中得到有效的应用,这与它的低接触电阻率和高的可靠性有关。