第11届国际分子束外延会议将在北京举行

【期数】：1998年02期

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【摘要】： 第4届全国分子束外延学术会议暨国际研讨会于1997年9月15日至18日在无锡市举行。与会代表90余人。会中有大会邀请报告17篇,分组报告51篇,内容覆盖了分子束外延的广泛领域,包括外延生长技术,设备改进,材料品质检测,物理和化学特性,以及在微波电子器件和光电子器件的应用等。研讨的材料体系包括各种Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结构,Ⅳ-Ⅵ族半导体,宽禁带Ⅱ-Ⅵ族和窄禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体体系,以及磁性材料一半导体异质结构等。被称为分子束外延之父的中国科学院外籍院士、美国Bell实验室的卓以和教授在会上介绍了国际分子束外延研究的进展,内容涉及SiGe,GaAs和InP各领域MOS场效应晶体管、激光器、探测器等最新器件。美国加州大学洛杉矶分校的王康隆教授在"21世纪集成器件中的