刊名: 国际学术动态
主办单位: 华中科技大学
出版周期: 双月
出版地:湖北省武汉市
语种: 中文
开本: 大16开
创刊时间: 1983
【期数】:1997年06期
【作者】:于锡玲
【摘要】: 第17届国际晶体学会议于1996年8月8~17日在美国西雅图举行。大会交流内容分为24类,147个专题,共在会上发表论文4710余篇。1 缺陷产生机制虽然完美理想的晶体很难存在,但人们对缺陷起源的认识非常有限。荷兰J.P.VanDerEerdon博士报告了在晶体生长期间,缺陷产生机制的一般思想:从分子尺度和热运动的观点描述缺陷的起因是恰当的。这种思想被Monte Carlo分子运动模拟结果所支持。实际上,杂质是缺陷产生的出发点,在表面附近杂质的积聚导致产生面缺陷和线缺陷。生