首届国际材料科学同步辐射会议概述

【期数】：1997年02期

【作者】：丁训民

【摘要】： 首届国际材料科学同步辐射会议于1996年7月29日至8月2日在美国芝加哥举行。主办单位是伊利诺伊理工学院。来自美、英、法、德、日、意、加等10余个西方主要工业国家的100余名代表参加了会议。笔者是唯一的中国代表。会议交流了口头报告30篇,张贴报告40余篇,内容包括结构和电子态这两个当今材料科学研究中最受人重视的领域。笔者向大会提交的论文"硫钝化GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究"介绍了我们课题组研究硫化物处理对GaAs表面电子态所产生作用的最新结果。这一工作是在我国自己的专用同步辐射设施——合肥国家同步辐射实验室完成的。日本NTT公司研究小组的代表和英国谢菲尔德大学研究小组的代表,与笔者就用同步辐射光电子能谱研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的表面与界面的一些具体学术和技术问题,进行了讨论。