固态器件与材料会议简介

【期数】：1997年02期

【作者】：蒋最敏

【摘要】： 由日本应用物理学会举办的1996年国际固态器件和材料会议于8月26—29日在日本横滨市举行。会议收到论文402篇,其中248篇被录用。与会人员600余人。会议内容丰富,涉及面广。器件、材料制备表征有6个分组报告,即:SOI技术,材料介电常数控制,单电子器件,量子纳米结构的制备和表征。GaN和ZnSe基发光器件以及它们的退化机制,薄膜晶体管。器件、材料涉及的物理内容包括si表面,SiGe与Si生长和处理过程。氧化层薄膜,量子器件物理。并进行5个专题讨论:①大学和工业之间的合作;②大规模集成电路的低功率技术;③未来智能系统材料和器件;④毫米波器件和它们的应用;⑤新型发光材料以及它们的应用。第5个专题主要研究四族半导体Si和Ge的发光材料。si和Ge为间接能带结构。具有低的辐射跃迁几率。最近具有高发光效率的纳米结构的发现,如多孔硅、Si-Ge合