最新纳米尺度半导体制作工艺与合成方法

【期数】：2011年03期

【作者】：

【摘要】：基于纳米材料的器件及其物理特性已成为目前科学界研究的关键问题之一,同时也是发展极其迅速的科研课题。为了能给广大从事集成光电子材料与器件的科研工作者提供高层次的交流平台,吉林大学集成光电子国家重点实验室于2010年8月8～15日在吉林大学举办第4届国际纳光电子学研讨会(iNOW)。