蓬勃发展的集成铁电学

【期数】：1996年05期

【作者】：汤庭鳌

【摘要】： 第8届国际集成铁电会议(International Symposium On Integrated Ferroelectrics)于1996年3月17—20日在美国亚利桑那州的TEMPE市举行。与会代表250人,他们来自14个国家和地区。会上发表论文近150篇。利用铁电体材料研制器件的设想早在50年代就有人提出。铁电体材料具有存储信息、压电效应、热释电效应等独特优点,只是采用的体材料本身固有的一些缺点和困难不能满足制作实际器件的要求。近几年来,各国尤其是美、日投入了相当的力量开发铁电薄膜的应用,取得了极大的进展。日本NEC公司已研制成1兆位的铁电不挥发存储器(FRAM),Matsushita电子公司报道已研制成第一个嵌有4-KbFRAM的四位微控制器.美国MOTOROLA公司将宣布完成实验性的8位HC 08微控制器,其中