晶体生长与外延会议概述

【期数】：2001年02期

【作者】：王弘

【摘要】： 第12届美国晶体生长与外延会议于2000年8月13～18日在美国Vail市召开,参加会议的有来自中国、日本、印度、美、英、法、德等20多个国家的300多位科学家。会议内容包括铁电薄膜,SiC块晶和外延生长,氧化物衬底和薄膜,探测器材料,NASA微重力晶体生长,晶体生长基础研究,工业结晶,金属有机气相外延,光伏材料、半导体晶体生长,非线性光