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  • 刊名: 国际学术动态

    主办单位:  华中科技大学

    出版周期:  双月

    出版地:湖北省武汉市

    语种:  中文

    开本:  大16开

    创刊时间:  1983

    半导体材料缺陷工程

    【期数】:2000年05期

    【作者】:杨德仁

    【摘要】: 第8届半导体技术吸杂和缺陷工程会议((Gettering and defect engineering in semicon-ductor technology,GADEST’99)于1999年9月25日至28日在瑞典隆德市附近的赫尔(HOOR)举行。来自24个国家的百位科学家参加了会议,会议交流论文近百篇,浙江大学一篇关于硅中氮杂质研究的论文在大会宣读。该会是世界上最重要的半导体材料专业会议之一,是半导体物理学家和材料科学家共同讨论半导体材料中缺陷的聚会,也是基础研究科学