半导体缺陷研究

【期数】：2000年01期

【作者】：杨德仁;李东升

【摘要】： 第20届"半导体缺陷"国际学术会议(ICDS-20,International Conference on Defects inSemiconductors)于1999年7月26～30日在美国伯克利市举行,共有300名代表参加。会议主席是著名学者E.E.Haller教授,会议程序委员会主席由N.Johnson教授担任,会议成立了由K.Sumino,W.Jantsch等5人组成的国际指导委员会和15人左右的国际顾问委员会。本次会议录取论文324篇,其中口头报告104篇。我国浙江大学硅材料国家重点实验室两篇